別亂猜華為在研發光刻技術 申請過一個專利是2016年的事情瞭

運營商財經 康釗/文

近日,華為的一項專利被曝光,業內驚訝地發現,這實際上是一種EUV光刻技術,這似乎意味著華為居然在研發EUV光刻技術,但實際不是那麼回事。

華為最近被曝光的光刻技術專利並非現在申請的,而是2016年已經在國際上申請PCT專利申請,名稱是光刻設備和光刻系統。2020年,此事就已經曝光過一回,沒想到最近又有人拿來炒一回,實際上是舊聞瞭。

而且,2016年的時候美國還沒開始打壓華為,說明華為很有眼光,早就看出光刻機是中國芯片的短板,因為自己也著手研發。

中國企業研究光刻技術並不稀奇,中國上世紀60年代就曾佈局光刻機技術,1961年我國就啟動瞭集成電路課題研究組,專攻晶體集成電路的技術。1966年,中國第一臺光刻機研制成功,可以生產矽圓片。

1972年,武漢三廠編擬工業生產指南“光刻掩版制造“。

1977年,中國科學院化學研究所光致抗蝕劑研究小組編制《光刻膠》作為行業資料。

1980年,清華大學研制成功的第四代光刻機,精度達到3微米,接近國際主流光刻機水平。

華為光有這麼點光刻技術專利是遠遠不夠的,光刻機就認為有10萬個零部件,比登天還難。

據介紹,華為的這項專利發明的核心內容,是提供瞭一種反射鏡、光刻裝置及其控制方法,能夠解決相幹光icon因形成固定的幹涉圖樣而無法勻光的問題,

而且,華為研制的光刻設備可以在不改變光刻設備與基板的相對位置的情況下制備所需的圖案,從而避免瞭平移步驟和對準步驟,從而提高瞭處理效率以及在基板上的形成。

但這還隻是原理,離實際制造光刻機還是相差太遠瞭。

大傢不要炒作華為在研發光刻技術,這個事情還早著呢,也需要國內產業界共同攜手才行。華為早在2016年就申請過專利,如果這種專利就能做出高端光刻機來,那中國現在也就不缺高端光刻機瞭。光刻機非常復雜,一兩個專利也沒啥用。

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